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陶瓷电容器又分为高频瓷介电容器和低频瓷介电容器两种。具有消得正电容温度系数的电容器，用于高稳定振荡电路中，作为回路电容器。低频瓷介电容器用在对稳定性和损耗要求不高的 场合或工作频率较低的回路中起旁路或隔直流作用，它易被脉冲电压击穿，故不能使用在脉冲电路中。高频瓷介电容器适用于高频电路。

所谓片式多层瓷介电容器(MLCC)---简称片式电容器,是由印好电*（内电*）的陶瓷介质膜片以错位的方式叠合起来，经过性高温烧结形成陶瓷芯片，再在芯片的两端封上金属层（外电*），从而形成一个类似独石的结构体，故也叫独石电容器。

片式电容器除有电容器 “隔直通交”的通性特点外，其还有体积小，比容大，寿命长，*性高，适合表面安装等特点。随着世界电子行业的飞速发展，作为电子行业的基础元件，片式电容器也以*的速度向前发展，每年以10%～15%的速度递增。目前，世界片式电容的需求量在 2000亿支以上，70%出自日本，其次是欧美和东南亚（含中国）。随着片容产品*性和集成度的*，其使用的范围越来越广，广泛地应用于各种军民用电子整机和电子设备。如电脑、电话、程控交换机、精密的测试仪器、雷达通信等。

片式多层瓷介电容器执行标准:

1类片式多层瓷介电容器执行标准:GB/T 21041-2007(IEC 60384-21：2004)；

2类片式多层瓷介电容器执行标准:GB/T 21042-2007(IEC60384-22：2004)；